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 構造図 |
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| 1. |
ICチップ |
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5. |
サーマルビア |
| 2. |
キャビティ |
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6. |
インダクタ |
| 3. |
表面実装部品 |
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7. |
ビア |
| 4. |
コンデンサ |
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8. |
内部配線パターン |
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特長 |
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| ・ |
KOA独自の収縮制御技術および積層技術により、寸法精度に優れた多層基板です。 |
| ・ |
ファインライン、ファインパターンによる高密度配線が可能です。 |
| ・ |
L、C、ストリップラインの内層による小型化が可能です。 |
| ・ |
低誘電損失セラミックス、及び低損失導体のため、高周波特性に優れています。 |
| ・ |
シリコンに近い熱膨張係数のため、ベアチップ搭載に適した基板です。 |
| ・ |
ベアチップ実装部にサーマルビアを設けることにより、放熱性に優れます。 |
| ・ |
セラミックスのため、耐熱性、耐湿性に優れています。 |
| ・ |
欧州RoHS対応品です。 |
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用途 |
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| ・ |
マイクロ波、ミリ波などの高周波を扱うアプリケーション。 |
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高温、高湿等、環境的に厳しい所で使われるアプリケーション。 |
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小型要求の移動体通信モジュール。 |
| ・ |
ベアチップを搭載したマルチチップモジュール。 |
| ・ |
MEMSパッケージ |
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| 環境負荷物質含有についてEU-RoHS以外の物質に対するご要求がある場合にはお問合せ下さい。 |
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LTCCは焼成時に収縮をしますが、材料、プロセスを精密に制御することにより±0.05%以下の位置精度を実現いたしました。
KOAの収縮制御技術には、以下のような特長があります。
 高さ方向の精度も保たれるため、内層受動部品の特性・精度が優れています。
 キャビティを形成した場合に、安定したキャビティ構造が形成できます。 |
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電子機器の高機能化、軽薄短小化の進展に伴い、配線基板にも高機能化が求められています。
基板の高機能化に対応する技術のひとつとして、LTCC（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）があります。
LTCCはアルミナにガラス系材質を加えることで、アルミナが約1500℃の「高温」で焼成されるのに対し、900℃以下の「低温」で焼成することを可能としたセラミック多層技術です。
低温焼成のためにAgなどの低融点材料を内部配線に使用できることが大きな特徴です。 |
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項目 |
特性 |
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抗折強度（MPa） |
250 |
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熱膨張係数（×10−6/K） |
5.5 |
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熱伝導率（W/m・K） |
3 |
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絶縁抵抗（Ω・cm） |
＞1013 |
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比誘電率at 1MHz |
7 |
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誘電損失at 1MHz |
＜0.003 |
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内部導体抵抗率（μΩ・cm） |
Ag 2.5 |
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密度（g/cm3） |
2.8 |
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表面粗さRa（μm） |
＜0.4 |
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耐電圧（kV/mm） |
＞15 |
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層厚（μm/Layer） |
80, 100, 125 STD. |
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記号 |
項目 |
設計値 |
A |
ライン幅 |
0.06mm
Min. |
B |
ラインスペース |
0.06mm
Min. |
C |
Via径 |
0.1mm,0.15mm,0.2mm |
D |
Viaパッド径 |
Ｖｉａ diameter＋0.05mm Min. |
E |
Via間隔 |
0.2mm Min. |
F |
Via-ライン間隔 |
0.15mm
Min. |
G |
基板端-導体パターン間隔 |
0.2mm
Min. |
H |
基板端-Via間隔 |
0.3mm
Min. |
J1,J2 |
キャビティ幅 |
0.6mm
Min. |
K1,K2 |
キャビティ深さ |
0.1mm
Min. |
L |
キャビテｨ壁面厚さ |
0.5mm
Min. |
M |
キャビティ内棚幅 |
0.5mm
Min. |
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アプリケーションノート
回路のブラッシュアップ
受動部品講座
リフレッシュルーム
