|
|
| |
 |
|
 構造図 |
|
|
 |
| |
|
|
|
|
|
| 1. |
シリコンウェハ |
| 2. |
ボンディングワイヤ |
| 3. |
ダイパッド |
| 4. |
端子 |
| 5. |
モールド樹脂 |
|
|
| |
|
|
特長 |
| |
|
|
| ・ |
シリコンウェハ上の薄膜（金属皮膜）抵抗/コンデンサ集積アレイです。 |
| ・ |
パッケージ内に特性の揃った高精度抵抗を集積します。 |
| ・ |
カスタム回路に対応し、レイアウトの柔軟性があります。（異種R組合せ可能） |
| ・ |
集積化により、実装を含めたトータルコストを低減できます。 |
| ・ |
業界標準のモールドICパッケージにて信頼性を高めています。 |
| ・ |
リフローはんだ付けに対応します。 |
| ・ |
端子鉛フリー品は、欧州RoHS対応品です。 |
|
|
|
| |
|
|
| ・ |
アナログオペアンプ周辺抵抗の高精度1チップネットワーク化 |
| ・ |
車載、アナログ計測、ICテスタ |
| ・ |
コンピュータ、データ通信、ネットワーク |
| ・ |
オペアンプ、終端用（ターミネーション）、プルアップ／プルダウン |
| ・ |
ESD対策 |
|
|
|
|
●TSSOP, QSOP, SOIC-N, SOIC-W, MLP |
|
 |
| 外形記号 |
パッケージ |
端子数 |
寸 法 (mm) |
重さ(g)
(1000pcs) |
| A±0.2 |
B±0.2 |
C±0.2 |
D±0.1 |
E±0.1 |
F±0.1 |
G±0.1 |
H±0.2 |
J±0.2 |
K±0.1 |
| T16 |
TSSOP |
16 |
5.00 |
6.40 |
1.00 |
0.65 |
0.25 |
0.20 |
0.23 |
0.66 |
4.40 |
0.18 |
58 |
| T20 |
20 |
6.50 |
0.33 |
74 |
| T24 |
24 |
7.80 |
86 |
| Q16 |
QSOP |
16 |
4.90 |
5.99 |
1.60 |
0.635 |
0.20 |
3.81 |
76 |
| Q20 |
20 |
8.66 |
1.47 |
125 |
| Q24 |
24 |
0.84 |
129 |
| Q28 |
28 |
9.90 |
129 |
| N08 |
SOIC-N |
8 |
4.83 |
1.27 |
0.41 |
0.52 |
73 |
| N14 |
14 |
8.66 |
150 |
| N16 |
16 |
9.91 |
153 |
|
| 1E |
MLP |
2 |
0.75 |
1.1 |
0.75 |
- |
0.35 |
- |
0.38 |
- |
0.33 |
- |
30 |
| 1J |
0.80 |
1.6 |
0.60 |
0.40 |
0.50 |
39 |
|
|
●SOTパッケージ |
|
 |
 |
|
| 外形記号 |
パッケージ |
端子数 |
寸 法 (mm) |
重さ(g)
(1000pcs) |
| A±0.2 |
B±0.2 |
C±0.2 |
D±0.1 |
E±0.1 |
F±0.1 |
G±0.1 |
H±0.2 |
J±0.2 |
K±0.1 |
| S03 |
SOT-23 |
3 |
2.92 |
2.30 |
0.95 |
1.91 |
0.44 |
0.13 |
0.51 |
0.53 |
1.30 |
0.11 |
9 |
| S05 |
SOT-235 |
5 |
0.95 |
1.60 |
18 |
| S06 |
SOT-236 |
6 |
20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| RNX |
|
Q20 |
|
T |
|
TE |
|
5001 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| 回路記号 |
|
外形記号 |
|
端子
表面材質 |
|
二次加工 |
|
カスタム番号 |
| RNX： |
カスタム抵抗ネットワーク |
| RTX, RTY ： |
SOT-23抵抗ネットワーク |
|
|
パッケージタイプ記号＋ピン数 |
|
T : Sn
(L : Sn/Pb) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| RDA |
|
Q20 |
|
T |
|
TE |
|
471J |
|
511J |
|
H |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 回路記号 |
|
外形記号 |
|
端子
表面材質 |
|
二次加工 |
|
R1公称抵抗値
及び許容差 |
|
R2公称抵抗値
及び許容差 |
|
抵抗温度
係数
T.C.R.
(×10-6/K) |
| RDA： |
デュアル終端ネットワーク |
| RDB： |
差動終端ネットワーク |
|
|
上記に同じ
（T24、Q24、N14、N08除く） |
|
T : Sn
(L : Sn/Pb) |
|
|
|
3桁表示
G：±2％
J：±5％ |
|
3桁表示
G: ±2％
J : ±5％ |
|
E：±25
C：±50
H：±100 |
| ● 抵抗コンデンサネットワーク ACB, ACC, ACD, TFA, LFA, CTX |
| ● ESD対策RCDネットワーク TFB, EAA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| ACB |
|
Q20 |
|
T |
|
TE |
|
330K |
|
470M |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 回路記号 |
|
外形記号 |
|
端子
表面材質 |
|
二次加工 |
|
公称抵抗値
及び許容差 |
|
公称静電容量
及び許容差 |
| ACB:： |
AC終端2コモン |
| ACC： |
AC終端3コモン |
| ACD： |
AC終端4コモン |
| TFA, TFB： |
Tフィルタ |
| LFA: |
Lフィルタ |
| CRA： |
シングルLフィルタRCネットワーク |
| CRB： |
デュアルAC終端RCネットワーク |
|
|
パッケージタイプ記号＋ピン数
T16, T20, T24：TSSOP
Q16, Q20, Q24：QSOP
N08, N14, N16：
SOIC Narrow
S03：
SOT-23 |
|
T : Sn
(L : Sn/Pb) |
|
|
|
3桁表示
K ：±10％ |
|
3桁表示
M ：±20％
Ex.
181：18×101＝180pF
470：47×100＝ 47pF |
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
CTX |
|
S03 |
|
T |
|
TE |
|
XXXX |
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
回路記号 |
|
外形記号 |
|
端子
表面材質 |
|
二次加工 |
|
回路数値記号 |
| |
|
|
パッケージタイプ記号＋ピン数
S03：SOT-23 |
|
T : Sn
(L : Sn/Pb) |
|
|
|
|
| ● ダイオードネットワーク ED□, PGD, TV□, DN□, SD□ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| EDA |
|
SO3 |
|
T |
|
TE |
|
5V0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 回路記号 |
|
外形記号 |
|
端子
表面材質 |
|
二次加工 |
|
電圧 |
EDA, EDB, EDC, EDD, PGD:
双方向ESDサプレッサー
TVA,TVB,TVC: 過渡電圧サプレッサー
DNA, DN2, DN3, DN4, DN5, DN6
DN7, DN8, DN9: ダイオード終端 |
|
パッケージタイプ記号＋ピン数
Q20, Q24: QSOP
N08, N014: SOIC Narrow
S03, S04, S05, S06: SOT-23
1E, 1J: PGD |
|
T：Sn
(L：Sn/Pb) |
|
TE：Plastic embossed |
|
EDA, EDB, PGD: 5V0
EDC, EDD: 16V
TVA, TVB, TVC:
5V0, 12V, 15V, 24V
DN□:
空欄: 指定無し |
テーピングの詳細については共通仕様を参照して下さい。
カスタム品（回路）についてはお問い合わせ下さい。
※ 上記にない製品の発注品名につきましては、お問い合わせ下さい。 |
 |
| ● 抵抗ネットワーク、抵抗コンデンサネットワーク共通
|
| パッケージ |
TSSOP |
QSOP |
SOIC |
SOT-23 |
| 外形記号 |
T16 |
T20 |
T24 |
Q16 |
Q20 |
Q24 |
N08 |
N14 |
N16 |
S03 |
| パッケージ定格電力 |
0.8W |
1.0W |
1.0W |
0.8W |
1.0W |
1.0W |
0.4W |
0.6W |
0.8W |
0.2W |
| 抵抗値範囲 |
10Ω〜1kΩ |
定格電力 200mW/素子※1 |
| 1.1kΩ〜 |
定格電力 50mW/素子※1 |
| 最高使用電圧 |
100V |
| 定格電圧 |
√（定格電力×公称抵抗値）、但し、最高使用電圧を超えないこと。 |
| 定格周囲温度 |
+70℃ |
| 使用温度範囲 |
-55℃〜+125℃ |
|
上記は複層基板（EIA/JESD51）使用時の熱抵抗を基準にしています。
単層基板を御使用時にはお問い合わせいただき、負荷電力を軽減してお使い下さい。
※1 素子毎の負荷電力の合計が、パッケージ定格電力を超えない条件で御使用下さい。 |
回路
記号 |
回路図 |
端子数 |
抵抗温度
係数
T.C.R.
(×10-6/K) |
抵抗値範囲および絶対許容差（Ω）(E24) |
|
|
B：
±0.1％
C：
±0.25％ |
D：
±0.5％ |
F：
±1％ |
G：±2％,
J：±5％ |
相対
抵抗値
許容差 |
相対
抵抗
温度
係数 |
| ※RIA |
 |
8, 14, 16
20, 24 |
T：±10 |
510〜100k |
510〜100k |
510〜100k |
510〜100k |
A: 0.05
B: 0.1
C: 0.25
D: 0.5
F: 1
G: 2
|
Y: 5
T: 10
E: 25
C: 50 |
| E：±25 |
100〜510k※ |
100〜510k※ |
100〜510k※ |
| C：±50 |
51〜1M※ |
51〜1M※ |
51〜1M※ |
| H：±100 |
30〜1M※ |
10〜1M※ |
| RＴＹ |
 |
3
SOT-23
Only |
T：±10 |
1k〜40k |
1k〜40k |
1k〜40k |
1k〜40k |
A: 0.05
B: 0.1
C: 0.25
D: 0.5
F: 1
G: 2 |
Y: 5
T: 10
E: 25
C: 50 |
| E：±25 |
1〜150k |
100〜150k |
100〜150k |
100〜150k |
| C：±50 |
51〜200k |
51〜200k |
51〜200k |
| H：±100 |
30〜200k |
30〜200k |
| ※RＮＸ |
 |
8, 14, 16
20, 24
|
T：±10 |
510〜100k |
510〜100k |
510〜100k |
510〜100k |
A: 0.05
B: 0.1
C: 0.25
D: 0.5
F: 1
G: 2 |
Y: 5
T: 10
E: 25
C: 50 |
| E：±25 |
100〜510k |
100〜510k |
100〜510k |
| C：±50 |
51〜1M |
51〜1M |
51〜1M |
| H：±100 |
30〜1M |
10〜1M |
回路
記号 |
回路図 |
端子数 |
抵抗温度
係数
T.C.R.
(×10-6/K) |
抵抗値範囲および絶対許容差（Ω）(E24) |
G：±2％,
J：±5％ |
| RDA |
 |
16, 20
|
E：±25 |
R1=
150〜10k
R1：R2=
1：1〜1：4
|
| C：±50 |
| H：±100 |
| RDB |
 |
16, 20
|
E：±25 |
R1=
150〜10k
R1：R2=
1：1〜1：4 |
| C：±50 |
| H：±100 |
| RLA |
 |
14, 16 |
H：±100 |
1k〜30k |
|
| ※RIA20, 24ピンについては最高抵抗値200kΩとなります。 |
| ※カスタム品（回路）について、ご要望により各種の設計（異種抵抗値の組合せ等）可能です。回路、パッケージによっては左記より高い抵抗値も可能です。 |
|
|
 |
|
| 周囲温度70℃以上で使用される場合は、左図に示す負荷軽減曲線に従って、定格電力を軽減して御使用下さい。 |
|
|
定格負荷試験結果（典型例：1kΩ、8素子/パッケージ）
 |
|
| ・ |
アナログオペアンプ周辺抵抗の高精度1チップ化（応用例）
R1:R2:の相対精度（抵抗値、TCR）が重要な用途に好適です。 |
 |
|
|
|
抵抗値 |
5kΩ、15kΩ、20kΩ |
Total 18素子 |
| 許容差 |
絶対 ±0.1％ |
相対 0.1％ |
| T.C.R. |
絶対 ±10×10-6/K |
相対 5×10-6/K |
| お客様のご要望により、各種の設計が可能です。カスタム品（回路） についてはお問合せください。 |
|
● 共通定格
| 抵抗器定格 |
抵抗値許容差 |
K：±10％ |
| コンデンサ定格 |
静電容量許容差 |
M：±20％ |
| コンデンサ定格電圧 |
20V |
| パッケージ定格電力 |
| 外形記号 |
S03 |
S04 |
S06 |
N08 |
Q16 |
Q20 |
Q24 |
Q28 |
| 定格電力 |
0.2W |
0.225W |
0.225W |
0.4W |
0.8W |
1W |
1W |
1W |
● 回路別定格
| 回路記号 |
回路図 |
外形 |
抵抗値範囲 |
抵抗温度
係数 T.C.R.
（X10-6/K） |
静電容量範囲 |
降伏
電圧 |
ESD耐圧※3
（HBM） |
使用温度範囲 |
ACB
ACC
ACD |
 |
Q20
Q24 |
10〜1k |
±200 |
33〜400 |
− |
− |
−55℃〜＋125℃ |
| TFA |
 |
Q20 |
10〜1k |
±200 |
33〜400 |
− |
− |
−55℃〜＋125℃ |
| TFB |
 |
Q20
Q24 |
10〜1k |
±200 |
33〜400 |
±6.5V |
±8kV |
−55℃〜＋125℃ |
| LFA |
 |
Q20 |
10〜1k |
±200 |
22〜250 |
− |
− |
−55℃〜＋125℃ |
CRA
CRB |
 |
S03 |
10〜1k |
±200 |
22〜250 |
− |
− |
−55℃〜＋125℃ |
| CTX |
 |
S03 |
10〜1k |
±200 |
22〜250 |
− |
− |
−55℃〜＋125℃ |
※3 Human Body Model (Mil-Std-883) C＝100pF R＝1.5kΩ Air discharge
|
● 絶対最大定格
| 記号 |
項目 |
定格 |
| Top |
使用温度範囲 |
−55℃〜＋125℃ |
| Vpv |
ESD電圧 |
16kV |
※IEC 61000-4-2 C=150pF R=330ΩAir discharge
● パッケージ定格
| 外形記号 |
1E |
1J |
S03 |
S04 |
S05 |
S06 |
N08 |
Q16 |
Q20 |
Q24 |
| パッケージ定格電力(W) |
0.1 |
0.125 |
0.2 |
0.225 |
0.225 |
0.225 |
0.4 |
0.8 |
1.0 |
1.0 |
● ツェナーダイオード
| Type |
EDA |
EDB |
EDC |
EDD |
PGD |
| Package |
S03 |
S06 |
S06 |
S05 |
1E, 1J |
| 回路図 |
 |
 |
 |
 |
 |
| Parameter |
VBD降伏電圧(V) |
LRL漏れ電流(μA） |
CT静電容量(pH)
|
| Min. |
Typ. |
Max. |
Typ. |
Max. |
試験条件 |
Typ. |
Max. |
| EDA, EDB |
16.0 |
20.0 |
27.0 |
0.1 |
2.0 |
14V |
6.0 |
10.0 |
| EDC, EDD, PGD |
5.1 |
7.0 |
10.0 |
0.1 |
2.0 |
5V |
15.0 |
20.0 |
| Type |
TVA |
TVB |
TVC |
他回路、電圧等については
お問い合わせ下さい。 |
| Package |
N14 |
N08 |
N08 |
| 回路図 |
 |
 |
 |
| Parameter |
VBD降伏電圧(V) |
LRL漏れ電流(μA） |
CT静電容量(pH) |
IPPピークパルス電流
8/20μs |
| Min. |
Max. |
Max. |
Max. |
| 電圧 |
5V |
6.0 |
10.0 |
350 |
17 |
| 12V |
13.3 |
1.0 |
120 |
12 |
| 15V |
16.7 |
1.0 |
75 |
10 |
| 24V |
26.7 |
1.0 |
50 |
5 |
● PNダイオード
| Type |
DNA |
DN2 |
DN3 |
DN4 |
DN5 |
| Package |
Q20 |
Q20 |
S06 |
S04 |
Q24 |
| 回路図 |
 |
 |
 |
 |
 |
| Type |
DN6 |
DN7 |
DN8 |
DN9 |
他回路、電圧等については
お問い合わせ下さい。 |
| Package |
N08 |
Q24 |
S03 |
N08 |
| |
 |
 |
 |
 |
| Parameteer |
VF順電圧(mV) |
VBD降伏電圧(V) |
LRL漏れ電流(μA） |
CT静電容量(pH) |
| DNA, DN2, DN3, DN4, DN5, DN6, DN7, DN8, DN9 |
Min. |
Max. |
Min. |
Min. |
Max. |
Min. |
Max. |
| 0.4 |
1.2 |
7.2 |
0.1 |
2.0 |
1.0 |
5.0 |
|
|
アプリケーションノート
回路のブラッシュアップ
受動部品講座
リフレッシュルーム
