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 構造図 |
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| 1. |
保護膜 |
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4. |
錫めっき |
| 2. |
ヒューズエレメント |
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5. |
銅/ニッケルめっき |
| 3. |
内部電極 |
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6. |
セラミック |
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特長 |
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| ・ |
1005サイズの超小型、軽量の二次回路用チップ電流ヒューズです。占有面積を小さくできます。 |
| ・ |
機械的強度が優れています。 |
| ・ |
独自の構造、製法により溶断特性が安定しています。 |
| ・ |
内部抵抗値が低く電圧降下、消費電力を小さくできます。 |
| ・ |
小型電子機器の回路ブロック過電流保護に適しています。 |
| ・ |
リフローはんだ付けに対応します。 |
| ・ |
欧州RoHS対応品です。 |
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取得規格 |
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| ・ |
UL248.14 認定 File No.E131375 |
| ・ |
c-UL(CSA)C22.2 No.284.14 認定 File No.E131375 |
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用途 |
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| ・ |
携帯電話 |
| ・ |
デジタルカメラ |
| ・ |
PDA |
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形 名
(Inch Size Code) |
寸 法 (mm)
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重さ(g)
(1000pcs) |
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L
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W
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c
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d
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t |
| TF10BN
(0402)
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1.0±0.1 |
0.5±0.05 |
0.2±0.1 |
0.25±0.1 |
0.4±0.05 |
0.68 |
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| テーピングの詳細については共通仕様を参照して下さい。 |
| 形 名 |
表示 |
定格電流 |
溶断時間 |
内部抵抗値
(mΩ)Max. |
定格電圧 |
定格周囲温度 |
使用温度範囲 |
| TF10BN0.20 |
A |
0.20A |
定格電流値の200%の
電流印加時に5秒以内。
溶断特性グラフ参照ください。 |
1990 |
24V |
+70℃ |
−55〜+125℃ |
| TF10BN0.25 |
C |
0.25A |
1270 |
| TF10BN0.35 |
D |
0.315A |
850 |
| TF10BN0.50 |
F |
0.50A |
320 |
| TF10BN0.63 |
I |
0.63A |
200 |
| TF10BN0.80 |
K |
0.80A |
135 |
| TF10BN1.00 |
L |
1.00A |
115 |
| TF10BN1.25 |
M |
1.25A |
90 |
| TF10BN1.60
|
N |
1.60A |
58 |
| TF10BN2.00
|
S |
2.00A |
42 |
| TF10BN2.50
|
T |
2.50A |
35 |
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70℃以上の周囲温度で使用する場合は、温度補正が必要となりますので、左図のディレーティング係数を考慮ください。 |
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